銷售咨詢熱線：
13912479193
簡(jian)要(yao)描(miao)述(shu)：【無錫冠亞】半導體控溫(wen)解決方案主要產品包括半導體專(zhuan)?溫(wen)控設備、射流式?低(di)(di)溫(wen)沖(chong)擊(ji)測試(shi)機和半導體??藝廢?處理裝置等?設備，?泛應?于半導體、LED、LCD、太陽能光伏等領域。-80℃射流高低(di)(di)溫(wen)沖(chong)擊(ji)測試(shi)機 循環風控溫(wen)裝置
產(chan)品型號：LTS-202廠商性質(zhi)：生產廠家更新時間：2023-11-13訪 問 量：124| 品牌 | LNEYA/無錫冠亞 | 冷卻方式 | 水冷式 |
|---|---|---|---|
| 價格區間 | 10萬-50萬 | 產地類別 | 國產 |
| 儀器種類 | 一體式 | 應用領域 | 化工,生物產業,電子,制藥,汽車 |
主要產品(pin)包括半導體專?溫控設備、射流式?低溫沖擊測試機和半導體??藝廢?處理裝置等?設備，
?泛應(ying)?于(yu)半導體、LED、LCD、太陽能(neng)光伏等領域。
半導體專溫控設備
射流式(shi)?低溫(wen)沖擊測試機
半(ban)導體專(zhuan)用溫控設備chiller
Chiller氣體降溫控溫系統
Chiller直冷(leng)型(xing)
循(xun)環(huan)風控溫裝(zhuang)置
半(ban)導(dao)體?低溫(wen)測試設備
電?設備(bei)?溫(wen)低(di)溫(wen)恒(heng)溫(wen)測試(shi)冷熱源
射流式高低溫(wen)沖擊測(ce)試機
快(kuai)速溫變控溫卡盤
數(shu)據中心液冷(leng)解(jie)決方案
| 型號 | FLT-002 | FLT-003 | FLT-004 | FLT-006 | FLT-008 | FLT-010 | FLT-015 |
| FLT-002W | FLT-003W | FLT-004W | FLT-006W | FLT-008W | FLT-010W | FLT-015W | |
| 溫度范圍 | 5℃～40℃ | ||||||
| 控溫精度 | ±0.1℃ | ||||||
| 流量控制 | 10～25L/min 5bar max | 15～45L/min 6bar max | 25～75L/min 6bar max | ||||
| 制冷量at10℃ | 6kw | 8kw | 10kw | 15 kw | 20kw | 25kw | 40kw |
| 內循環液容積 | 4L | 5L | 6L | 8L | 10L | 12L | 20L |
| 膨脹罐容積 | 10L | 10L | 15L | 15L | 20L | 25L | 35L |
| 制冷劑 | R410A | ||||||
| 載冷劑 | 硅油、氟化液、乙二醇水溶液、DI等 （DI溫度需要控制10℃以上） | ||||||
| 進出接口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 |
| 冷卻水口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 | ZG1 | ZG1 1/8 |
| 冷卻水流量at20℃ | 1.5m3/h | 2m3/h | 2.5m3/h | 4m3/h | 4.5m3/h | 5.6m3/h | 9m3/h |
| 電源380V | 3.5kW | 4kW | 5.5kW | 7kW | 9.5kW | 12kW | 16kW |
| 溫度擴展 | 通過增加電加熱器，擴展-25℃～80℃ | ||||||
-80℃射流高低溫沖擊測試機 循環風控溫裝置
-80℃射流高低溫沖擊測試機 循環風控溫裝置
射(she)流(liu)式高低溫沖擊測試機給芯片、模塊、集成電路板、電子元器件等提供精確且快速的環境(jing)溫度。
是對產品(pin)電性(xing)能(neng)測試、失效分析、可靠性(xing)評(ping)估的儀(yi)器設(she)備。
溫度控制(zhi)范圍：-120℃ 至(zhi)+300℃，升(sheng)降溫速率?常快速，150℃?-55℃＜10秒，zui??流(liu)量：30m3/h；
實時(shi)監控被測IC真實溫(wen)度,實現閉環(huan)反饋，實時(shi)調(diao)整?體(ti)溫(wen)度升降溫(wen)時(shi)間可(ke)控，程序化操作、?動操作、遠程控制
冷(leng)熱循(xun)環沖擊測試機是用(yong)于測試集成電路在不同溫度(du)下的(de)性能和穩定性的(de)設備，在選購冷(leng)熱循(xun)環沖擊測試機時，需要考(kao)慮(lv)以下幾個方面(mian)：
1、測試溫度(du)范圍(wei)：根據需(xu)要(yao)測試的集成電路的類型和規格，確定所需(xu)的測試溫度(du)范圍(wei)。一般來(lai)說，冷(leng)熱循環沖擊(ji)測試機(ji)的溫度(du)范圍(wei)應該在-120℃到200℃之間，以滿足大(da)多數半導體的測試需求(qiu)。
2、溫(wen)度穩定(ding)(ding)性(xing)：溫(wen)度穩定(ding)(ding)性(xing)是測試系統的重要(yao)指標之一(yi)。冷熱循環沖擊測試機的溫(wen)度穩定(ding)(ding)性(xing)應(ying)該(gai)(gai)足(zu)夠高，以保證測試結果的準確(que)性(xing)和可(ke)靠(kao)性(xing)。一(yi)般來說，溫(wen)度波動范圍應(ying)該(gai)(gai)在±1℃以內(nei)。
3、測(ce)(ce)試(shi)速(su)度(du)：測(ce)(ce)試(shi)速(su)度(du)也是需(xu)要考慮的因(yin)素之一(yi)。冷熱循環沖擊測(ce)(ce)試(shi)機的測(ce)(ce)試(shi)速(su)度(du)應(ying)該足夠快，以減少測(ce)(ce)試(shi)時間和提升效率。一般來(lai)說，冷(leng)熱循環沖擊測(ce)試機測(ce)試速度應該在每小時測(ce)試數百個樣品以上。
4、測(ce)試(shi)精度：冷(leng)熱循環沖擊(ji)測(ce)試(shi)機的測(ce)試(shi)精度應(ying)該足夠高(gao)，以保證測(ce)試(shi)結果(guo)的準確性和可靠性。一般來說(shuo)，測(ce)試(shi)誤差應(ying)該在±1℃以(yi)內(nei)。
