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元器件高低溫(wen)測試(shi)裝(zhuang)置(zhi)在用于(yu)惡劣環境的半導體(ti)電(dian)(dian)子元件的制(zhi)造(zao)中(zhong)，IC封(feng)裝(zhuang)組裝(zhuang)和工程和生(sheng)產的測試(shi)階段包(bao)括在溫(wen)度（-85℃至(zhi)+ 250℃）下的電(dian)(dian)子冷熱測試(shi)和其他(ta)環境測試(shi)模(mo)擬。PCB板高低溫(wen)測試(shi)chiller選型(xing)

元器件高(gao)低溫(wen)測試裝置在(zai)用(yong)于惡劣環境的(de)半導體電(dian)子元件的(de)制(zhi)造中，IC封裝組裝和(he)工程和(he)生產(chan)的(de)測試階段包(bao)括在(zai)溫(wen)度(du)（-85℃至+ 250℃）下的(de)電(dian)子冷熱測試和(he)其他環境測試模擬。電(dian)子芯片高(gao)低溫(wen)存(cun)儲試驗(yan)chiller知識(shi)

元(yuan)器件(jian)高低溫測(ce)試(shi)(shi)裝置(zhi)在(zai)用(yong)于惡劣環(huan)境的(de)半導體電子元(yuan)件(jian)的(de)制造中(zhong)，IC封裝組裝和(he)(he)工(gong)程和(he)(he)生產的(de)測(ce)試(shi)(shi)階段包括在(zai)溫度（-85℃至+ 250℃）下的(de)電子冷熱測(ce)試(shi)(shi)和(he)(he)其(qi)他(ta)環(huan)境測(ce)試(shi)(shi)模(mo)擬。電子元(yuan)器件(jian)高溫貯(zhu)存(cun)試(shi)(shi)驗chiller選型條件(jian)

元器件(jian)高低(di)溫測(ce)(ce)(ce)試(shi)裝置在用于惡劣環(huan)境的(de)半導體電(dian)子元件(jian)的(de)制造中，IC封裝組裝和工程和生產的(de)測(ce)(ce)(ce)試(shi)階段包括在溫度（-85℃至+ 250℃）下的(de)電(dian)子冷熱測(ce)(ce)(ce)試(shi)和其(qi)他環(huan)境測(ce)(ce)(ce)試(shi)模擬。電(dian)子芯(xin)片高低(di)溫循環(huan)檢(jian)測(ce)(ce)(ce)chiller故障處理