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簡要描述：【無錫(xi)冠(guan)亞】半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)控溫解決方案(an)主要產品包括半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)專?溫控設(she)備(bei)、射流式?低溫沖(chong)擊測試(shi)機(ji)和半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)??藝廢?處理裝置(zhi)等?設(she)備(bei)，?泛應(ying)?于(yu)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)、LED、LCD、太陽能光(guang)伏等領域。Chillers半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)控溫裝置(zhi) 模塊(kuai)循(xun)環(huan)制冷(leng)機(ji)
產品型號：LTS-202廠商性(xing)質：生產廠家更(geng)新時間：2023-12-20訪(fang) 問 量：95| 品牌 | 冠亞制冷 | 冷卻方式 | 水冷式 |
|---|---|---|---|
| 價格區間 | 10萬-50萬 | 產地類別 | 國產 |
| 儀器種類 | 一體式 | 應用領域 | 化工,生物產業,電子,制藥,汽車 |
主要(yao)產品包括半(ban)導(dao)體專?溫(wen)控設(she)(she)備(bei)、射流式(shi)?低溫(wen)沖擊測試機和半(ban)導(dao)體??藝廢?處理(li)裝置(zhi)等?設(she)(she)備(bei)，
?泛應(ying)?于(yu)半導(dao)體、LED、LCD、太陽能(neng)光伏等領域。
半導(dao)體專溫控設備
射(she)流式?低溫沖(chong)擊測(ce)試(shi)機
半導體專用溫控設備(bei)chiller
Chiller氣(qi)體(ti)降溫控(kong)溫系統(tong)
Chiller直(zhi)冷型
循環(huan)風(feng)控溫裝置
半導體?低溫測(ce)試設備
電(dian)?設備?溫低溫恒(heng)溫測試冷熱源
射流式高(gao)低溫沖擊測試(shi)機
快速溫變(bian)控溫卡盤
數據中心液(ye)冷解決方案
| 型號 | FLT-002 | FLT-003 | FLT-004 | FLT-006 | FLT-008 | FLT-010 | FLT-015 |
| FLT-002W | FLT-003W | FLT-004W | FLT-006W | FLT-008W | FLT-010W | FLT-015W | |
| 溫度范圍 | 5℃～40℃ | ||||||
| 控溫精度 | ±0.1℃ | ||||||
| 流量控制 | 10～25L/min 5bar max | 15～45L/min 6bar max | 25～75L/min 6bar max | ||||
| 制冷量at10℃ | 6kw | 8kw | 10kw | 15 kw | 20kw | 25kw | 40kw |
| 內循環液容積 | 4L | 5L | 6L | 8L | 10L | 12L | 20L |
| 膨脹罐容積 | 10L | 10L | 15L | 15L | 20L | 25L | 35L |
| 制冷劑 | R410A | ||||||
| 載冷劑 | 硅油、氟化液、乙二醇水溶液、DI等 （DI溫度需要控制10℃以上） | ||||||
| 進出接口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 |
| 冷卻水口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 | ZG1 | ZG1 1/8 |
| 冷卻水流量at20℃ | 1.5m3/h | 2m3/h | 2.5m3/h | 4m3/h | 4.5m3/h | 5.6m3/h | 9m3/h |
| 電源380V | 3.5kW | 4kW | 5.5kW | 7kW | 9.5kW | 12kW | 16kW |
| 溫度擴展 | 通過增加電加熱器，擴展-25℃～80℃ | ||||||
Chillers半導體控溫裝置 模塊循環制冷機
Chillers半導體控溫裝置 模塊循環制冷機
集(ji)成電路晶圓制造Chiller在(zai)半導(dao)體(ti)制(zhi)造(zao)工(gong)藝中作為一種制(zhi)冷(leng)加熱動態(tai)控溫設備(bei)，可以用在(zai)不同的工(gong)藝中，以下是在(zai)半導(dao)體(ti)制(zhi)造(zao)工(gong)藝中的應用：
1、氧化工藝(yi)：在(zai)氧化工藝(yi)中，需要將硅片放入氧化爐(lu)中，并在(zai)高溫下進(jin)行氧化反應。集(ji)成電路晶(jing)圓制造Chiller可以控制氧化爐(lu)的(de)溫度(du)和氣氛(fen)，以確保氧化反(fan)應(ying)的(de)穩定(ding)性(xing)和均勻性(xing)。
2、退(tui)(tui)火工藝：在退(tui)(tui)火工藝中(zhong)，需要將硅片(pian)加熱到一(yi)(yi)定溫度，并(bing)保持一(yi)(yi)段時(shi)間，以消(xiao)除晶格(ge)中(zhong)的(de)應力并(bing)改(gai)善材(cai)料的(de)性能。集成電路晶圓(yuan)制造(zao)Chiller可以控制退火爐的溫度和時(shi)間，以確保退火過程的穩定性(xing)和可靠性(xing)。
3、刻(ke)蝕工(gong)藝：在刻(ke)蝕工(gong)藝中，需要將硅片暴露在化學試劑中，以(yi)去除(chu)不需要的材料。集(ji)成電路晶圓(yuan)制造Chiller可以控制化學試劑(ji)的溫(wen)度(du)和(he)流量(liang)，以確保刻蝕過程的穩定(ding)性和(he)精度(du)。
4、薄膜沉積(ji)工藝：在薄膜沉積(ji)工藝中，需要將材料(liao)沉積(ji)在硅片上，以形成(cheng)所需的薄膜結構(gou)。集成(cheng)電路晶圓制(zhi)造Chiller可以控制沉(chen)積(ji)設備的溫度和氣(qi)氛(fen)，以確保薄膜(mo)沉(chen)積(ji)的穩定性和質量。
5、離(li)(li)子(zi)注入(ru)工(gong)藝(yi)：在離(li)(li)子(zi)注入(ru)工(gong)藝(yi)中，需要將離(li)(li)子(zi)注入(ru)到硅片中，以改變材料的性質(zhi)和(he)結構。集(ji)成電路晶(jing)圓制造(zao)Chiller可以(yi)控制離子注入設備的(de)溫度(du)和(he)電流，以(yi)確保離子注入的(de)穩(wen)定性和(he)精度(du)。
